[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201310114477.8 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103389605B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 石垣利昌;高桥文雄;栗山英树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,马立荣 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，具有阵列基板和与该阵列基板相对的对置基板，其特征在于，在阵列基板的像素内配置有TFT和突起，所述TFT的源电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，覆盖所述TFT和所述突起地形成无机钝化膜，在所述TFT上的所述无机钝化膜上形成有机钝化膜，在所述有机钝化膜上形成对置电极，覆盖所述对置电极地形成上部绝缘膜，在所述上部绝缘膜之上形成像素电极，所述像素电极在所述突起上经由在所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔而与所述源电极导通，在俯视下，所述源电极的宽度小于所述突起的宽度的最大值。
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