[发明专利]一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构有效
| 申请号： | 201310114204.3 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103166628A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵建中;卜山;刘海南;黑勇;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构。其中Vinn和Vinp为LVDS驱动器预驱动模块的输出，用来控制LVDS驱动器输出驱动模块的四个开关MOS管。与常规LVDS驱动器电路相比，该电路特点为：通过正反馈分流机制，在不增加任何功耗的基础上，仅仅通过增加四个开关MOS管便可以有效降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载电容即预驱动模块的输出负载电容，降低了LVDS驱动器预驱动部分的功耗，因而提高了整体驱动器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 lvds 驱动器 输出 驱动 模块 输入 负载 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构，其特征在于，该电路结构包括十二个CMOS晶体管，分别为第1aCMOS晶体管(M1a)、第1bCMOS晶体管(M1b)、第2aCMOS晶体管(M2a)、第2bCMOS晶体管(M2b)、第3aCMOS晶体管(M3a)、第3bCMOS晶体管(M3b)、第4aCMOS晶体管(M4a)、第4bCMOS晶体管(M4b)、第5CMOS晶体管(M5)、第6CMOS晶体管(M6)、第7CMOS晶体管(M7)和第8CMOS晶体管(M8)，其中：第8CMOS晶体管(M8)与第5CMOS晶体管(M5)构成控制单元，第6CMOS晶体管(M6)与第7CMOS晶体管(M7)构成镜像电流源，第1aCMOS晶体管(M1a)、第1bCMOS晶体管(M1b)、第2aCMOS晶体管(M2a)、第2bCMOS晶体管(M2b)、第3aCMOS晶体管(M3a)、第3bCMOS晶体管(M3b)、第4aCMOS晶体管(M4a)与第4bCMOS晶体管(M4b)构成电流开关单元；第1aCMOS晶体管(M1a)与第4aCMOS晶体管(M4a)的栅极相连并接到输入端Vinp，第2aCMOS晶体管(M2a)与第3aCMOS晶体管(M3a)的栅极相连并连接到输入端Vinn，第1bCMOS晶体管(M1b)的栅极与第3bCMOS晶体管(M3b)的栅极相连并连接到输出端Voutp，第2bCMOS晶体管(M2b)的栅极与第4bCMOS晶体管(M4b)的栅极相连并连接到输出端Voutn，第8CMOS晶体管(M8)、第5CMOS晶体管(M5)的栅极连接共模反馈电路的输出端Vcmfb来控制电流信号的大小，其中输入端Vinn和输入端Vinp为LVDS预驱动模块的输入，输出端Voutp和输出端Voutn为LVDS驱动器输出驱动模块的输出。
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