[发明专利]基于绝热多米诺逻辑的三值低功耗T运算电路

摘要

本发明公开了一种基于绝热多米诺逻辑的三值低功耗T运算电路，将绝热技术和多米诺逻辑结合应用到T运算电路中，根据T运算和文字运算定义式，以开关信号理论为指导，推导出三值低功耗T运算电路的开关级表达式，从而得到包括逻辑0选通电路、逻辑1选通电路和逻辑2选通电路T运算电路；优点是采用电源传输到节点电容再返回至电源的重复利用方式，减少了传统能量直接转化为热能的消耗，使大部分能量将被恢复到电源以便于在下一周期被再次使用，对本发明的三值低功耗T运算电路的逻辑功能和低功耗特性用HSPICE进行验证，其完全符合三值T运算电路的功能,具有正确的逻辑功能，相对于三值常规多米诺T运算电路能耗减少了51.79%，具有明显的低功耗特征。

主权项

一种基于绝热多米诺逻辑的三值低功耗T运算电路，其特征在于包括逻辑0选通电路、逻辑1选通电路和逻辑2选通电路，所述的逻辑0选通电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述的逻辑2选通电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和八NMOS管，所述的逻辑1选通电路包括第六PMOS管、第七PMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管，所述的第一PMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的第四PMOS管的栅极、所述的第六PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极、所述的第四NMOS管的栅极、所述的第七NMOS管的栅极和所述的第十一NMOS管的栅极连接且其连接端接入第一时钟信号；所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第四PMOS管的源极、所述的第六PMOS管的源极、所述的第二NMOS管的源极、所述的第四NMOS管的源极、所述的第五NMOS管的栅极、所述的第七NMOS管的源极、所述的第八NMOS管的栅极、所述的第十一NMOS管的源极和所述的第十二NMOS管的栅极连接且其连接端接入第二时钟信号，所述的第一时钟信号与所述的第二时钟信号的幅值相同且相位相差180度；所述的第一PMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的漏极和所述的第三NMOS管的栅极连接，所述的第一NMOS管的源极与所述的第二NMOS管的漏极连接，所述的第二PMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的漏极、所述的第三PMOS管的栅极和所述的第九NMOS管的栅极连接，所述的第三NMOS管的源极与所述的第四NMOS管的漏极连接，所述的第三PMOS管的漏极与所述的第五NMOS管的漏极连接，所述的第四PMOS管的漏极、所述的第五PMOS管的栅极、所述的第六NMOS管的漏极和所述的第十NMOS管的栅极连接，所述的第六NMOS管的源极与所述的第七NMOS管的漏极连接，所述的第五PMOS管的漏极与所述的第八NMOS管的漏极连接，所述的第六PMOS管的漏极、所述的第七PMOS管的栅极和所述的第九NMOS管的漏极连接，所述的第九NMOS管的源极和所述的第十NMOS管的漏极连接，所述的第十NMOS管的源极和所述的第十一NMOS管的漏极连接，所述的第七PMOS管的漏极与所述的第十二NMOS管的漏极连接，所述的第一NMOS管的栅极与所述的第六NMOS管的栅极连接且其连接端作为所述的基于绝热多 米诺逻辑的三值低功耗T运算电路的三值选通信号输入端，所述的第三PMOS管的源极、所述的第五NMOS管的源极、所述的第五PMOS管的源极、所述的第八NMOS管的源极、所述的第七PMOS管的源极和所述的第十二NMOS管的源极连接且其连接端作为所述的基于绝热多米诺逻辑的三值低功耗T运算电路的信号输出端。