[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

本发明公开了一种晶体管的形成方法，通过在前端结构上形成旋转覆盖层和回刻，使得栅极结构上的氮化硅被去除完整，如此后续湿刻去除侧墙氮化硅层时能够有效的减少湿刻时间，使得对金属硅化物和锗硅应力层的损伤大大降低，另外，通过本方法去除栅极结构上的氮化硅，也减少了后续对ILD层进行CMP时的过研磨量，从而防止了栅极结构变矮，大大的提高了器件的可靠性。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供前端结构，所述前端结构包括衬底及位于所述衬底上的多个栅极结构，所述衬底包括PMOS区和NMOS区，所述PMOS区和NMOS区的相邻栅极结构之间均形成有金属硅化物，所述PMOS区的相邻栅极结构之间形成有锗硅应力层，所述栅极结构包括栅极材料层、位于所述栅极材料层上的栅极掩膜层及位于所述栅极材料层和栅极掩膜层两侧的侧墙，所述侧墙包括偏移侧墙、覆盖所述偏移侧墙的主侧墙氧化层及覆盖所述主侧墙氧化层的主侧墙氮化硅层；形成一旋转覆盖层，所述旋转覆盖层覆盖所述衬底及栅极结构；回刻所述旋转覆盖层和栅极掩膜层直至所述掩膜层被去除；去除剩余的旋转覆盖层；进行SPT刻蚀，去除所述主侧墙氮化硅层和主侧墙氧化层，保留偏移侧墙，由于掩膜层被去除，故降低了SPT刻蚀对金属硅化物和硅锗应力层的损伤；形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述衬底及栅极结构；采用化学机械研磨去除部分所述层间介电层使其平坦化，并暴露出所述栅极材料层。