[发明专利]偏置控制有效

专利信息
申请号: 201310097361.8 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN103905749B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 周国煜;赵亦平 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本文提供了一种或多种用于偏置控制的技术或者系统。在一些实施例中,偏置控制涉及对图像传感器的一个或多个像素的列进行偏置。在一些实施例中,相关电路包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、第一转移晶体管、第一偏置晶体管、第二偏置晶体管以及连接至第二偏置晶体管的开关。在一些实施例中,第一偏置晶体管和第二偏置晶体管在第一时间对像素的列进行偏置。在一些实施例中,截止第二偏置晶体管,从而在第二时间去除第二偏置。以这种方式,至少因为当第二偏置晶体管工作时能够加速建立时间并且当断开时能实现更宽的像素操作范围而提高了图像晶体管的性能。
搜索关键词: 偏置 控制
【主权项】:
一种用于图像传感器的电路,包括:复位晶体管,包括复位栅极、复位源极和复位漏极;源极跟随器SF晶体管,包括SF栅极、SF源极和SF漏极;第一转移晶体管,包括第一转移栅极、第一转移源极和第一转移漏极,所述复位源极连接至所述SF栅极和所述第一转移漏极;第一偏置控制部分,包括具有第一偏置栅极、第一偏置源极和第一偏置漏极的第一偏置晶体管;以及第二偏置控制部分,包括开关和第二偏置晶体管,所述第二偏置晶体管包括第二偏置栅极、第二偏置源极和第二偏置漏极,所述开关连接至所述第二偏置漏极,所述SF源极连接至所述开关或所述第一偏置漏极中的至少一个,在对所述复位栅极施加高电平的像素的复位操作期间,所述开关闭合以将所述第二偏置晶体管连接至像素;以及在所述复位操作期间并且在激活所述第二偏置晶体管的特定时间段之后,所述开关断开以将所述第二偏置晶体管与所述像素断开,其中,基于与所述像素相关联的建立时间来选择所述特定时间段。
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