[发明专利]一种二维岛状红外光谱等离子激元金属结构的制备方法

摘要

一种二维岛状红外光谱等离子激元金属结构的制备方法，属于光电子材料及器件技术领域。将两种或两种以上有机半导体高分子材料的共混液涂覆到基体上，通过激光辐照使有机半导体高分子异质结相分离界面图案结构化，再将金属纳米颗粒溶胶旋涂在该结构上，经退火实现了二维岛状红外光谱等离子激元金属结构的一种新的制备技术。本发明方法具有成本低、效率高，可制备大面积金属结构等优点。

主权项

一种二维岛状红外光谱等离子激元金属结构的制备方法，其特征在于，是基于高分子异质结相分离图案金属化的方法，具体包括以下步骤：1)将两种或两种以上有机半导体高分子材料分别溶解于有机溶剂中，制成浓度均为10‑150mg/ml的有机半导体溶液；2)将步骤1)中的配制的有机半导体溶液混合，得到有机半导体高分子材料的共混溶液；3)以500‑4000rpm的转速，将步骤2)中的共混溶液旋涂在基底上，获得厚度均匀的有机半导体高分子异质结薄膜，薄膜的厚度为50‑200nm；4)将激光与连续的有机半导体高分子异质结薄膜作用，使其中一种有机半导体高分子材料发生交联反应，而其它高分子材料未发生交联反应，从而获得高分子异质结相分离界面的图案化；5)利用有机溶剂冲洗掉未交联的有机半导体高分子材料，形成基于高分子异质结相分离图案的微米级二维无序孔状结构样品；6)将直径为2‑10nm的金属纳米颗粒溶解于有机溶剂中，制成40‑100mg/ml的金属纳米颗粒溶胶；7)将步骤6)中制备的金属纳米颗粒溶胶，以1500‑4000rpm的转速，旋涂在步骤5)中制备的二维无序孔状结构上；8)将步骤7)中制备的样品在200‑300℃的加热板上或200‑500℃电炉中加热20‑90s，得到具有红外光谱响应的二维无序岛状等离子激元金属结构。