[发明专利]一种高质量CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的制备方法

摘要

本发明涉及荧光半导体纳米材料制备技术领域，特别涉及到一种低成本，环保，简单，可控的合成高质量CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的方法。通过采用常规的铜盐，铟盐，锌盐作为阳离子前驱体，采用硫醇作为硫源和表面配体，合成的CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶荧光范围可以在530-830nm之间连续调节，荧光量子产率处于40-70%，稳定性好。本发明为CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的工业化大规模合成提供了一个新的方法。

主权项

一种简单，环保，低成本，可重复的方法合成具有高量子产率，高稳定性的CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构纳米晶，其特点在于包括以下步骤：把铜、铟、锌盐按照一定比例（铜、铟、锌前驱体比例为1:1：x（0≤x≤1））混合加入到液体石蜡、油酸和硫醇的混合溶液中在氮气保护下加热到适当温度（200‑280℃），反应一定时间（1‑60min），加入一定量（铜和铟前驱体摩尔数和的3‑20倍）一定浓度（0.1‑1mmol/mL）的锌盐溶液，继续反应10min‑3h，得到CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构纳米晶。