[发明专利]一种基于CMUT的温度传感器及其制备方法与应用方法有效
| 申请号： | 201310084404.9 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103196577A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;叶志英;李支康;蒋庄德;王久洪;赵玉龙;王苑 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMUT的温度传感器及其制备方法与应用方法，其整体结构由温度敏感薄膜和基座两部分组成；其中温度敏感薄膜采用高热膨胀系数半导体材料制成，其中部经离子掺杂形成上电极；基座中部自上而下依次为C型空腔、二氧化硅隔绝层、T型下电极；且T型下电极下部外侧由内而外依次为应力缓解凹槽以及二氧化硅底板，二氧化硅底板上围绕C型空腔设置有二氧化硅支柱；该CMUT结构在用于温度测量时，通过温度敏感薄膜与基座之间的热应力失配而引起的敏感薄膜谐振频率变化来实现温度检测；CMUT上、下电极均位于空腔内，有效电极间距小，寄生电容小、可实现低功耗、高灵敏度、快速温度检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmut 温度传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于CMUT的温度传感器，其特征在于：其整体结构由温度敏感薄膜（1）和基座（2）两部分组成；其中温度敏感薄膜（1）采用高热膨胀系数半导体材料制成，其中部经离子掺杂形成上电极；基座（1）中部自上而下依次为C型空腔（7）、二氧化硅隔绝层（6）、T型下电极（5）；且T型下电极下部（4）外侧由内而外依次为应力缓解凹槽（10）以及二氧化硅底板（9），二氧化硅底板（9）上围绕C型空腔设置有二氧化硅支柱（8）；所述T型下电极上部（3）位于二氧化硅底板（9）上侧，为下电极的主要部分；T型下电极下部（4）在厚度方向上贯通二氧化硅底板（9），用于电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310084404.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钢丝微动摩擦磨损试验机
- 下一篇：变压器呼吸器在线监测仪及其工作方法
