[发明专利]制造光伏器件的方法有效
| 申请号： | 201310081875.4 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051565B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曹金波;威廉.H.胡贝尔;梁勇;徐晟 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能马来西亚有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/073 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 马来西亚吉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造光伏器件的方法。该方法包括将覆盖层设置在透明导电氧化物层上，其中覆盖层包括元素镁、镁合金、二元镁氧化物或它们的组合。该方法还包括将窗口层设置在覆盖层上以及在透明导电氧化物层和窗口层之间形成层间层，其中层间层包括镁。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造光伏器件的方法，包括：(a)将覆盖层设置在透明导电氧化物层上，其中所述覆盖层包括元素镁、镁合金、二元镁氧化物或它们的组合；(b)在所述覆盖层上设置窗口层；以及(c)在所述透明导电氧化物层和所述窗口层之间形成层间层，其中所述层间层包括镁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
