[发明专利]栅极的形成方法

摘要

一种栅极的形成方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部，在所述鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；形成覆盖所述鳍部和所述隔离结构的第一栅材料层；研磨所述第一栅材料层，使所述第一栅材料层表面平整；测量所述隔离结构上第一栅材料层的厚度，获取所述第一栅材料层厚度的测量值；将所述第一栅材料层厚度的测量值与栅厚度目标值比较，并根据比较结果再对所述第一栅材料层进行补偿沉积或者刻蚀；刻蚀栅材料层，形成栅极。本发明的栅极的形成方法所形成栅极的厚度与栅厚度目标值相同，且容易控制。

主权项

一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部，在所述鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；形成覆盖所述鳍部和所述隔离结构的第一栅材料层，所述第一栅材料层的厚度大于所述鳍部的高度；研磨所述第一栅材料层，使所述第一栅材料层表面平整；测量所述隔离结构上第一栅材料层的厚度，获取所述第一栅材料层厚度的测量值；设定所述第一栅材料层厚度的测量值与栅厚度目标值的比较标准，根据所述比较标准将所述第一栅材料层厚度的测量值与栅厚度目标值比较；若所述第一栅材料层厚度的测量值小于所述栅厚度目标值，则在所述第一栅材料层上形成第二栅材料层，使所述第一栅材料层与所述第二栅材料层的厚度和与所述栅厚度目标值相同，刻蚀所述第二栅材料层和所述第一栅材料层，形成栅极；若所述第一栅材料层厚度的测量值大于所述栅厚度目标值，刻蚀所述第一栅材料层，使刻蚀后剩余第一栅材料层的厚度与所述栅厚度目标值相同，刻蚀所述第一栅材料层，形成栅极。