[发明专利]天线耦合太赫兹探测器有效
申请号: | 201310079737.2 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN103178150A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 刘惠春;杨耀;张月蘅 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种天线耦合太赫兹探测器,其包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器;所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面,所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接,所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面;所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下,向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚,所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。本发明提供的太赫兹天线通过够汇聚太赫兹电磁波,提高了本发明的探测性能以及工作温度,并且本发明生产工艺较简单。 | ||
搜索关键词: | 天线 耦合 赫兹 探测器 | ||
【主权项】:
一种天线耦合太赫兹探测器,其特征在于,包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器;所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面,所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接,所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面; 所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下,向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚,所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的