[发明专利]天线耦合太赫兹探测器有效

专利信息
申请号: 201310079737.2 申请日: 2013-03-13
公开(公告)号: CN103178150A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 刘惠春;杨耀;张月蘅 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L31/08 分类号: H01L31/08;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种天线耦合太赫兹探测器,其包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器;所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面,所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接,所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面;所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下,向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚,所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。本发明提供的太赫兹天线通过够汇聚太赫兹电磁波,提高了本发明的探测性能以及工作温度,并且本发明生产工艺较简单。
搜索关键词: 天线 耦合 赫兹 探测器
【主权项】:
一种天线耦合太赫兹探测器,其特征在于,包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器;所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面,所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接,所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面;    所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下,向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚,所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。
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