[发明专利]一种超结LDMOS器件有效
| 申请号： | 201310077827.8 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165678A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 乔明;蔡林希;章文通;李燕妃;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种超结LDMOS器件，属于半导体功率器件领域。本发明在传统超结LDMOS器件的P型衬底中嵌入均匀分布的N+岛，并在有源区和衬底之间加入一层P型电场屏蔽埋层。其中N+岛（2）能通过增强体内电场来提高器件的纵向耐压，同时产生额外的电荷来消除衬底辅助耗尽效应，从而提高器件的击穿电压；P型电场屏蔽埋层（3）可屏蔽源端附近N+岛（2）产生的高电场，降低源区附近电场峰值，并且与N型缓冲层形成超结，加上本身的超结漂移区，使得器件具有多重超结结构，从而有效改善体内的电场分布，提高器件的击穿电压，并同时通过提高漂移区的掺杂浓度来降低器件的比导通电阻，最终达到有效减小器件面积、降低器件成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种超结LDMOS器件，包括P型衬底（1）、N型缓冲区（4）、P型条（5）、N型条（6）、P型体区（7）、P型重掺杂体接触区（8）、N型重掺杂源区（9）、金属源电极（10）、多晶硅栅电极（11）、栅氧化层（12）、金属漏电极（13）、N型重掺杂漏区（14）；所述P型条（5）和N型条（6）平行于器件横向方向，形成超结结构的漂移区；所述N型缓冲区（4）位于超结结构的漂移区和P型衬底（1）之间；所述N型重掺杂漏区（14）位于超结结构漂移区的一端，与所述P型条（5）和N型条（6）分别相接触，而表面与金属漏电极（13）相接触；所述P型体区（7）位于超结结构漂移区的另一端，与P型条（5）、N型条（6）和N型缓冲区（4）均相接触，其内部具有相互独立的P型重掺杂体接触区（8）和N型重掺杂源区（9）；所述P型重掺杂体接触区（8）和N型重掺杂源区（9）表面与金属源电极（10）相接触；所述栅氧化层（12）位于N型重掺杂源区（9）与超结结构漂移区之间的P型体区（7）的表面；所述多晶硅栅电极位于栅氧化层（12）表面；其特征在于，所述P型衬底（1）中还嵌入了若干均匀分布的N+岛（2）；所述P型体区（7）和靠近源端的N型缓冲区（4）与衬底（1）之间还具有一层P型电场屏蔽埋层（3）。
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