[发明专利]阻变存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310074763.6 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103682092B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 尹孝燮;曺汉宇 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括下电极；可变电阻层，所述可变电阻层形成在下电极之上，并且被配置使得其体积根据温度收缩或膨胀；以及上电极，所述上电极形成在可变电阻层上。下电极的至少一部分被配置成与上电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器件，包括：下电极；可变电阻层，所述可变电阻层形成在所述下电极之上，并且被配置使得其体积根据温度收缩或膨胀；以及上电极，所述上电极形成所述可变电阻层之上，其中，所述下电极的至少一部分被配置成与所述上电极电连接，所述可变电阻层被配置使得其上表面根据温度与所述上电极接触或者与所述上电极分开，所述可变电阻层包括一种材料，当可变电阻层在加热膨胀之后被快速地冷却时，所述材料保持膨胀状态，并且当加热的可变电阻层被缓慢地冷却时，所述材料返回收缩状态。
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