[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺的处理装置及方法

摘要

本发明提供一种等离子体刻蚀工艺的处理装置及其方法。该方法包括交替循环的沉积和刻蚀工艺子过程，在每个子过程进行中，时间控制模块控制第一或第二输气阀的启闭，使该子过程的气体输送到工艺腔内，同时检测模块的检测单元检测工艺腔内气体浓度所形成的特征值，通过特征值确定气体的种类和浓度，检测模块的切换单元判断所述特征值是否达到预定的阈值，如果达到预定的阈值，则切换偏压电源输出满足该子过程的偏压功率。本发明将气体输送和偏压功率切换分别由时间控制模块和检测模块控制，通过检测模块监控，可以更精确地控制偏压功率切换时间，克服了气体输送和偏压功率切换时延迟时间不同造成的不同步，提高了整个工艺的稳定性和控制性。

主权项

一种等离子体刻蚀工艺的处理装置，所述刻蚀工艺包括两个相互交替循环执行的沉积和刻蚀工艺子过程，所述装置包含等离子工艺腔和工艺条件辅助单元，其特征在于，所述辅助单元包括：第一输气阀，用于向所述等离子工艺腔输送沉积步骤中的气体；第二输气阀，用于向所述等离子工艺腔输送刻蚀步骤中的气体；偏压电源，用于提供所述沉积工艺子过程中的偏压功率或提供所述刻蚀工艺子过程中的偏压功率；时间控制模块，用于控制所述沉积或刻蚀工艺子过程的时间，以及第一、第二输气阀的启闭切换； 检测模块，包括：   检测单元，用于检测在所述沉积步骤或刻蚀工艺子过程中进入所述等离子工艺腔内气体浓度所形成的特征值；   切换单元，通过所述特征值判断所述沉积或刻蚀工艺子过程中进入所述等离子工艺腔内气体种类和浓度，并根据气体种类和浓度，切换所述偏压电源输出满足所述沉积或刻蚀工艺子过程的偏压功率。