[发明专利]一种基于电感偏置的压控振荡器无效

专利信息
申请号: 201310071519.4 申请日: 2013-03-06
公开(公告)号: CN103208991A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 汪瀚;黄鲁 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099;H03L7/085
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 成金玉;贾玉忠
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种基于电感偏置的压控振荡器包括:中心抽头电感L1和L2,变容管Cv1和Cv2,电容C1和C2,NMOS管NM1和NM2;电源由电感L1中心抽头端接入,L1的第一输入端分别与变容管Cv1的第一输入端、电容C1的第一输入端以及NMOS管NM1的漏极相连,并输出正振荡电压信号;电感L1的第二输入端分别与变容管Cv2的第一输入端、电容C2的第一输入端及NMOS管NM2的漏极相连,输出负振荡电压信号;变容管Cv1第二输入端与Cv2第二输入端相连,并作为电压控制信号的输入端;NMOS管NM1的源级接地,栅极接电感L2的第一输入端以及电容C2的第二输入端;NMOS管NM2的源级接地,栅极接电感L2的第二输入端以及电容C1的第二输入端;L2中心抽头端为偏置电平的输入端;本发明提高了压控振荡器的相位噪声性能。
搜索关键词: 一种 基于 电感 偏置 压控振荡器
【主权项】:
一种基于电感偏置的压控振荡器,其特征在于包括:中心抽头电感L1和L2,变容管Cv1和Cv2,电容C1和C2,NMOS管NM1和NM2;电源VDD由电感L1的中心抽头端接入,L1的第一输入端分别与变容管Cv1的第一输入端、电容C1的第一输入端以及NMOS管NM1的漏极相连,并输出正振荡电压信号Vout+;电感L1的第二输入端分别与变容管Cv2的第一输入端、电容C2的第一输入端以及NMOS管NM2的漏极相连,并输出负振荡电压信号Vout‑;变容管Cv1的第二输入端与Cv2的第二输入端相连,并作为电压控制信号Vctrl的输入端;NMOS管NM1的源级接地,栅极接电感L2的第一输入端以及电容C2的第二输入端;NMOS管NM2的源级接地,栅极接电感L2的第二输入端以及电容C1的第二输入端;L2的中心抽头端为偏置电平Vbias的输入端。
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