[发明专利]提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法无效
| 申请号： | 201310067946.5 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103165780A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李璟;王国宏;詹腾;孔庆峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；步骤3：在GaN外延片表面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N-GaN层，在N-GaN层的一侧形成台面；步骤4：在GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；步骤5：在P-GaN层上的ITO薄膜上光刻腐蚀出一凹槽；腐蚀掉多量子阱发光层和P-GaN层侧壁上的ITO薄膜，保留台面上的ITO薄膜；步骤6：在ITO薄膜上的凹槽内制作P电极，在台面上的ITO薄膜上制作N电极，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 亮度 gan led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N‑GaN层、多量子阱发光层和P‑GaN层，形成GaN外延片；步骤3：在GaN外延片表面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N‑GaN层，在N‑GaN层的一侧形成台面；步骤4：在GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；步骤5：在P‑GaN层上的ITO薄膜上光刻腐蚀出一凹槽；腐蚀掉多量子阱发光层和P‑GaN层侧壁上的ITO薄膜，保留台面上的ITO薄膜；步骤6：在ITO薄膜上的凹槽内制作P电极，在台面上的ITO薄膜上制作N电极，完成制备。
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