[发明专利]一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法

摘要

本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。

主权项

一种Ce掺杂Bi4‑xCexTi3O12电致阻变薄膜的制备方法，其特征是：包括如下步骤：（1）对Pt/TiO2/Si衬底进行表面处理和清洗；（2）配制Bi4‑xCexTi3O12溶胶；（3）将配制好的溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜；（4）对匀好胶的湿膜进行烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；（5）将烘干处理过的薄膜进行预热处理；（6）重复上述步骤(3)‑(5)，根据所需薄膜的厚度确定重复次数，直至获得所需厚度的Bi4‑xCexTi3O12薄膜；（7）对上述Bi4‑xCexTi3O12薄膜在常压空气气氛下进行退火处理，使薄膜晶化；（8）退火后Bi4‑xCexTi3O12薄膜样品自然冷却。