[发明专利]一种具有复合基板的薄膜电容器的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有复合基板的薄膜电容器的制造方法，该方法首先经过三次轧制和三次退火制得具有铜基板和镍基板结合在一起的复合基板，然后在该复合基板上沉积四方相锆钛酸铅PbZr1-xTixO3的电介质层，最后再在该电介质层上沉积电极层，从而形成所述具有复合基板的薄膜电容器。

主权项

一种具有复合基板的薄膜电容器的制造方法，依次包括如下步骤：（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍，其余0.02重量%为多种杂质，所述多种杂质包括：0.0005‑0.0008重量%的锰，0.005‑0.008重量%的铝、0.001‑0.002重量%的银、0.0005‑0.001重量%的铬，0.004‑0.006重量%的铁、0.0005‑0.0012重量%的硅以及0.001‑0.002重量%的锑以及0.001‑0.002重量%的钽；（2）第一次轧制：将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3‑5毫米；（3）第一次热退火，步骤（2）所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650‑800℃，退火时间为60分钟；（4）第二次轧制，对步骤（3）所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1‑2毫米；（5）第二次热退火，将步骤（4）所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650‑800℃，退火时间为40分钟；（6）将步骤（5）所得的镍基板贴合到纯度为99.999%的铜基板上进行第三次轧制，轧制后形成厚度为200‑300微米的复合基板箔片；（7）第三次热退火，将步骤（6）所得的复合基板箔片进行第三次热退火，退火温度为700‑800℃，退火时间为30分钟；（8）按照四方相锆钛酸铅PbZr1‑xTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO2、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材；（9）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在步骤（7）所得的复合基板箔片上；从而形成PbZr1‑xTixO3电介质层；该电介质层的厚度为1‑5微米，优选2微米；（10）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层上，从而形成电极层，该电极层的厚度为100‑200微米，优选120微米。