[发明专利]一种新型的在自由空间中实现均匀强静磁场的方法有效
| 申请号： | 201310063549.0 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103223209A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 孙非;何赛灵 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | A61N2/02 | 分类号： | A61N2/02;G01R33/38 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的在自由空间中实现均匀强静磁场的方法。现有的方法很难在自由空间内实现很强的静磁场。本发明是将二维空间中的一个环形器件作为静磁场增强器，环形器件内填充负磁导率的各向异性的非均匀磁性材料，在环形器件之外的内部和外部区域都是空气；将环形器件所处的整个环境中加一个弱的均匀背景静磁场，此时在环形器件之外的内部区域内实现均匀强静磁场。本发明可以实现以前技术无法做到的在很大的自由空间内实现50T或者更高的静磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 自由空间 实现 均匀 磁场 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的在自由空间中实现均匀强静磁场的方法，其特征在于：将二维空间中的一个环形器件作为静磁场增强器，环形器件内填充负磁导率的各向异性的非均匀磁性材料，在环形器件之外的内部和外部区域都是空气；将环形器件所处的整个环境中加一个弱的均匀背景静磁场，此时在环形器件之外的内部区域内实现均匀强静磁场。
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