[发明专利]一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法有效
申请号: | 201310063299.0 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103112818A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 张跃;李馨;齐俊杰;张骐;张虹 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法,属于微纳器件设计及制造领域。本发明仅利用简单的扫描电镜及镀膜仪,通过在单根微纳线两端制作金属电极。电极覆盖在微纳线上面,与微纳线形成稳固的电极接触,保证了电性能测量过程中信号的稳定性。作为电极的金属可以有多种选择,为设计构建多种形式的微纳器件提供了技术支持。制作过程不使用FIB等昂贵设备,达到了制作同样电极的效果,节约成本,简便易行。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 扫描电镜 单根微纳 线上 制作 金属电极 方法 | ||
【主权项】:
一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法,其特征在于: a. 在绝缘硅片衬底(1)上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA电子束刻蚀胶(2),并烘烤固膜;b. 电子束刻蚀:将上述步骤处理后的绝缘硅片置于扫描电镜中,调整电镜放大倍数,使电子束辐照一小部分PMMA,辐照面积等同于电镜显示器画面代表面积;c. 显影定影: 使用显影液和定影液洗去受电子束辐照而降解的PMMA;d. 直流溅射: 将经步骤c处理后的绝缘硅片放入直流溅射仪中,进行金属的直流溅射,形成厚度为100nm的金属薄膜;e. 剥离余胶:将经步骤d处理后的绝缘硅片分别泡在丙酮、乙醇、异丙醇中各超声60秒,将尚未曝光的PMMA清除并清洗干净,最终在绝缘硅片衬底上得到材质为溅射金属的标记;f. 将微纳线分散在异丙醇溶液里,并滴加到经步骤e处理后的绝缘硅片衬底(上,在扫描电镜中,读出并记录下金属标记的绝对位置,并记录下微纳线(3)上预作金属电极处的绝对位置,算出预作金属电极处对金属标记的相对坐标位置(X1,Y1)及(X2,Y2);g. 在经步骤f处理后的绝缘硅片重复步骤a处理;h. 将经步骤g处理后的绝缘硅片置于扫描电镜中,在扫描电镜中聚焦对准金属标记,并记录下此时金属标记的绝对位置,根据预作金属电极处对金属标记的相对位置,算出此时预作金属电极处的绝对位置,利用电镜样品台将预作金属电极处的绝对位置移动到电子束正下方;i. 重复步骤b电子束刻蚀、c显影定影、d直流溅射和e剥离余胶四个步骤,最终得到所需要的覆盖在一维微纳线上的金属电极。
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