[发明专利]基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线制备方法及应用

摘要

本发明公开一种基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线制备方法及应用，基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线制备方法包括下述步骤：将上述功能材料溶于二氯甲烷溶液中，配制成1×10-3摩尔/升浓溶液，待用；取1mL上述待用浓溶液于试管当中，然后向试管中迅速注入10mL正己烷溶液，静置1~10h后在试管底部形成纳米线。进而构筑微纳米器件，该类器件具有稳定的电学双稳态，可用于高密度信息存储和分子开关，应用范围广，本发明为新型功能存储介质的设计和分子电子器件的制备提供新的思路和途径，具有较好的经济效益和社会效益。

主权项

1.基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线制备方法，该功能材料的分子结构为：或其中，R为C₁~C₆的烷基，R’为C₁~C₆的烷基或苯环；其特征在于：该功能材料的纳米线制备方法包括下述步骤：步骤1、将上述功能材料溶于二氯甲烷溶液中，配制成1× 10^-3 摩尔/升浓溶液，待用；步骤2、取 1mL 上述待用浓溶液于试管当中，然后向试管中迅速注入 10 mL 正己烷溶液，静置1~10h 后在试管底部形成纳米线。