[发明专利]基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线制备方法及应用

权利要求书

1.基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线制备方法，该功能材料的分子结构为：

或 

其中，R为C₁~C₆的烷基，R’为C₁~C₆的烷基或苯环；

其特征在于：该功能材料的纳米线制备方法包括下述步骤：

步骤1、将上述功能材料溶于二氯甲烷溶液中，配制成1× 10^-3 摩尔/升浓溶液，待用；

步骤2、取 1mL 上述待用浓溶液于试管当中，然后向试管中迅速注入 10 mL 正己烷溶液，静置1~10h 后在试管底部形成纳米线。

2.基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线在电开关材料中的应用。

3.基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线在信息存储器件材料中的应用。

4.根据权利要求3所述的基于二茂铁-苝二酰亚胺的功能材料的纳米线在信息存储器件材料中的应用中，其功能材料的纳米线用于高密度电信息存储材料时，能实现纳米尺度的电信息存储，信息点的点径为 3~10纳米。