[发明专利]制备硅基微电极的方法有效
| 申请号： | 201310062478.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103101878A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备硅基微电极的方法。该方法利用贵金属纳米颗粒在硅片表面催化腐蚀形成纳米孔洞阵列；在该纳米孔洞阵列上制备下绝缘层、导电层和上绝缘层，进而形成带有纳米孔洞阵列的微记录点。本发明制备硅基微电极的方法减少了工艺流程，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 微电极 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硅基微电极的方法，其特征在于，包括：将贵金属纳米颗粒悬浊液与硅腐蚀液混合，制备硅纳米孔洞腐蚀液；在硅片上旋涂光刻胶，通过光刻暴露出需要腐蚀的部分，获得带有光刻胶图形的硅片，其中所述光刻胶对硅腐蚀液具有抗腐蚀性；将所述带有光刻胶图形的硅片水平放置于所述硅纳米孔洞腐蚀液中进行腐蚀，所述贵金属纳米颗粒在硅片上催化腐蚀形成的包括多个纳米孔洞的纳米孔洞阵列，去除残余的光刻胶；在包含纳米孔洞阵列的所述硅片表面依次形成下绝缘层、导电层和上绝缘层，所述纳米孔洞阵列的多个纳米孔洞被所述导电层不完全填充；由所述硅片获得硅基微电极的针体结构；以及在所述针体结构的预设位置通过刻蚀，露出所述纳米孔洞阵列中的导电层，形成带有纳米孔洞阵列的微记录点，从而制备出硅基微电极。
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