[发明专利]形成光伏器件的方法有效
| 申请号： | 201310062130.3 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103325887A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | A·J·宏;M·J·霍普斯塔肯;C-C·黄;Y·W·黄;金志焕;D·K·萨达那;C-F·曾 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;北儒精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成光伏器件的方法。一种形成光伏器件的方法，包括：在衬底上沉积p型层，以及通过将p型层的表面暴露到等离子体处理以与污染物发生反应，从而清洁p型层。在p型层上形成本征层，以及在本征层上形成n型层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成光伏器件的方法，包括：在衬底上沉积p型层；通过将所述p型层的表面暴露到等离子体处理以与污染物反应，从而清洁所述p型层；在所述p型层上形成本征层；以及在所述本征层上形成n型层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司;北儒精密股份有限公司，未经国际商业机器公司;北儒精密股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310062130.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
