[发明专利]提高电荷转移效率减小暗电流的像素结构及其工作方法

摘要

一种提高电荷转移效率减小暗电流的像素结构及其工作方法，有光电二极管PD的N端连接传输晶体管TX的源极，光电二极管PD的P端接地，传输晶体管TX的漏极、复位晶体管RST的源极、源跟随晶体管SF的栅极以及浮扩散区FD的一端相连接，浮扩散区FD的另一端接地，复位晶体管RST的漏极和源跟随晶体管SF的漏极连接电源VDD，源跟随晶体管SF的源极连接选择晶体管SEL的漏极，选择晶体管SEL的源极为输出端连接到列输出信号线上，传输晶体管TX的栅极分为第一栅极TX1和第二栅极TX2两部分。本发明通过在传输管上采用双栅结构，在电荷积分和电荷转移过程中加不同的偏置电压来减小暗电流，同时提高了阱容量，优化了电荷转移路径中的电势分布，更有利于转移，减小图像拖尾。

主权项

一种提高电荷转移效率减小暗电流的像素结构，包括复位晶体管RST，传输晶体管TX、选择晶体管SEL、源跟随晶体管SF、光电二极管PD和浮扩散区FD，其中，所述的光电二极管PD的N端连接传输晶体管TX的源极，光电二极管PD的P端接地，传输晶体管TX的漏极、复位晶体管RST的源极、源跟随晶体管SF的栅极以及浮扩散区FD的一端相连接，所述的浮扩散区FD的另一端接地，所述的复位晶体管RST的漏极和源跟随晶体管SF的漏极连接电源VDD，源跟随晶体管SF的源极连接选择晶体管SEL的漏极，选择晶体管SEL的源极为输出端连接到列输出信号线上，其特征在于，所述的传输晶体管TX的栅极分为第一栅极TX1和第二栅极TX2两部分。