[发明专利]在半导体器件中使用氧化物层板来增加本体氧化物厚度无效
| 申请号： | 201310057477.9 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103794508A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 金成龙;史蒂文·莱比格尔;克里斯托弗·纳萨尔 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体器件中使用氧化物层板来增加本体氧化物厚度。本发明描述了半导体器件以及用于制造这类器件的方法。通过以下各项来制造所述半导体器件：为半导体基底提供有源区；在所述基底的非有源部分中提供本体氧化物层，在所述器件的保护区域内所述本体氧化物层具有第一厚度；在所述本体氧化物层上以及在所述有源区中的基底上提供氧化物层板；在所述基底的有源区上形成栅极结构；以及在一部分基底和栅极结构上形成自对准的硅化物层；其中在这些过程之后在保护区域内本体氧化物层的最终厚度仍然基本上与所述第一厚度相同。可以增加本体氧化物层的厚度，而无需任何额外的加工步骤或任何额外的加工费用。还描述了其他实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 使用 氧化物 层板来 增加 本体 厚度 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：为半导体基底提供有源区；在所述基底的非有源部分中提供本体氧化物层，所述本体氧化物层在所述器件的保护区中具有第一厚度；在所述本体氧化物层上以及在所述有源区的基底上提供氧化物层板；在所述基底的有源区中形成栅极结构；以及在所述基底和所述栅极结构的一部分上形成自对准的硅化物层；其中所述第一厚度与最终厚度之间差异为小于约10%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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