[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统有效
| 申请号： | 201310054383.6 | 申请日： | 2007-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103185854A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | T.特鲁科;R.A.巴多斯 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265;G01R31/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王忠忠 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光（110）、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像（120）、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性（130）来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。 | ||
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【主权项】：
一种用来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性的方法，所述方法包括步骤：从外部激发所述间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光；捕获响应于所述外部激发从所述间接带隙半导体器件发出的光的图像；以及根据对两个或更多个所述发光图像中的区域的相对强度的比较来确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性，其中从外部激发所述间接带隙半导体器件的所述步骤包括通过施加至少一个电激发信号到所述间接带隙半导体器件的接触端来电激发所述间接带隙半导体器件以电致发光的步骤，并且确定空间分辨特性的所述步骤包括以下步骤：比较至少两个电致发光图像中的对应区域的强度，所述电致发光图像中的每一个对应于电激发信号的不同电平，由此空间分辨所述间接带隙半导体器件中的电隔离或不良连接区域。
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