[发明专利]一种半导体器件多级场板终端结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310054020.2 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103178104A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 高明超;王耀华;刘江;赵哿;金锐 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件多级场板终端结构及其制造方法。多级场板终端结构为阶梯结构，用于IGBT芯片和快恢复二极管FRD中，多级场板终端结构包括衬底区表面的栅极氧化膜和场氧化膜层、沉积在栅极氧化膜和场氧化膜层上的多晶硅栅极、沉积在场氧化膜层上的隔离氧化膜以及沉积在隔离氧化膜上的SiO2薄膜；在隔离氧化膜和SiO2薄膜之间设置SiOxNy层，SiOxNy层为腐蚀阻挡层。本发明提供的结构终端为五个台阶，终端面积小，对界面电荷不敏感，突破国外四台阶多级场板结构专利的封锁；多级场板场氧化膜层中间及SiO2薄膜下添加SiOxNy薄膜层作为腐蚀阻挡层，降低对工艺精度的要求，操作简单，由于SiOxNy具有良好的致密性，阻止外部杂质离子侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 多级 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件多级场板终端结构，所述多级场板终端结构为阶梯结构，用于IGBT和快恢复二极管FRD半导体功率器件中，其特征在于，所述多级场板终端结构包括衬底区表面的栅极氧化膜（1）和场氧化膜层（2）、沉积在栅极氧化膜（1）和场氧化膜层（2）上的多晶硅栅极（3）、沉积在场氧化膜层（2）上的隔离氧化膜（4）以及沉积在隔离氧化膜（4）上的SiO2薄膜（5）；在场氧化膜中间及隔离氧化膜（4）和SiO2薄膜（5）之间设置SiOxNy层，所述SiOxNy层为腐蚀阻挡层。
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