[发明专利]一种高摆幅可编程电流源有效

专利信息
申请号: 201310050390.9 申请日: 2013-02-11
公开(公告)号: CN103149967A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 刘文用;马剑武;陈君;林剑辉 申请(专利权)人: 湖南融和微电子有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 代理人: 刘熙
地址: 410205 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种高摆幅可编程电流源,包括基准电路、镜像电路、保护电路。所述基准电路由第一低压PMOS管和第一、二高压PMOS管组成;所述镜像电路由第二低压PMOS管、第三、四、五、六、七高压PMOS管组成;所述保护电路由第八、九高压PMOS管组成。本发明的优点:一是在同等的失配和输出阻抗要求下,VdsBIAS将大幅下降;二是可节约原来开关占用的电压Vdsswitch;三是利用高压MOS管,以箝位低压电流镜管的Vds和Vgs电压,保护低压管。这样带来的好处是提高了电流源的输出摆幅。
搜索关键词: 一种 高摆幅 可编程 电流
【主权项】:
一种高摆幅可编程电流源,其特征是包括基准电路、镜像电路、保护电路;所述基准电路由第一低压PMOS管和第一、二高压PMOS管组成;第一高压PMOS管的源端接电源电压,漏端和栅端与第二高压PMOS管的栅端连接在一起接级联管栅端偏置电压;第一低压PMOS管的源端接电源电压,栅端和第二高压PMOS管的漏端连接在一起接电流镜管栅端偏置电压,漏端接第二高压PMOS管的源端;所述镜像电路由第二低压PMOS管、第三、四、五、六、七高压PMOS管组成;第二低压PMOS管的源端接电源电压,栅端接第四、五高压PMOS管的漏端,漏端接第三高压PMOS管的源端;第三高压PMOS管的栅端接第六、七高压PMOS管的漏端,漏端接电流源输出;所述保护电路由第八、九高压PMOS管组成,跨接在第二低压PMOS管的源端和栅端之间;第八高压PMOS管的源端接电源电压,漏端和栅端连到第九高压PMOS管的源端;第九高压PMOS管的漏端和栅端连在一起接电流镜管栅端偏置电压。
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