[发明专利]一种定向凝固去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置有效
| 申请号： | 201310046431.7 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103072999A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李伟生;龚炳生;杨凤炳 | 申请（专利权）人： | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 王彩霞 |
| 地址： | 364211 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种定向凝固去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）原料硅在石墨坩埚中熔化，将硅液倒入定向凝固装置中，盖上保温板，并保持上部温度在1450～1500°C；（2）硅液的表面上放置石墨板，石墨板与外界直流电压的负极相接，定向凝固装置底部的石墨层与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在通电状态下，以22～28°C/h的速度降温，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层和尾部富集的杂质区，得到金属杂质总含量小于0.1ppm的多晶硅。采用电泳辅助定向凝固除金属的方法，可有效的降低金属杂质的含量，大幅度的降低生产成本，解决了产量低，生产周期长，耗能大，设备复杂，生产成本高的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定向 凝固 去除 多晶 金属 杂质 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种定向凝固去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）原料硅在石墨坩埚中熔化，将硅液倒入定向凝固装置中，盖上保温板，并保持硅液上部温度在1450～1500°C；（2）硅液的表面上放置石墨板，石墨板与外界直流电压的负极相接，定向凝固装置底部的石墨层与外界直流电压的正极相接，施加10～100V直流电压；（3）通电2～4h后，在通电状态下，以22～28°C/h的速度降温，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层和尾部富集的杂质区，得到提纯后多晶硅。
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