[发明专利]一种薄膜太阳能电池陷光结构玻璃的制备及其应用无效
申请号: | 201310039891.7 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103178156A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 王庆康;沈向前;钟建平;黄堃;严兴茂 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池陷光结构玻璃的制备及其应用,该方法利用湿法刻蚀,在玻璃基片上得到半球凹坑阵列结构,结构具有周期性和对称性,拥有光子晶体的性能。首先通过光刻和显影,将模板上的图形转移到光刻胶中,之后通过去铬溶液,将图形转移到铬层中,最后通过刻蚀,在平板玻璃上得到微纳周期结构。刻蚀包括湿法刻蚀和干法刻蚀。此结构用于薄膜太阳能电池衬底,可提高入射光的透射衍射,延长光子在吸收层的传播路径,从而增加薄膜电池吸收层的陷光能力,提高电池的能量转换效率。本发明具有材料廉价、工艺简单的优点,可有效提高薄膜电池的陷光能力并降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 结构 玻璃 制备 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池陷光结构,其特征在于,所述陷光结构是一种微纳周期性的半球凹坑阵列结构,该结构具有周期性和对称性,拥有光子晶体的性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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