[发明专利]辐射探测器

摘要

公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。

主权项

一种辐射探测器，包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；阳极电极，位于以下的面中的至少之一上：顶部表面、底部表面和至少一个侧面；以及阴极电极，位于以下的面中的至少之一上：顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面，其中，阳极电极为条带形状，布置在半导体晶体的顶部表面上，阴极电极为平面形状，布置在半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面上，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。