[发明专利]集成电路及制造方法有效
| 申请号： | 201310034040.3 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103226040A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 尤里·波诺马廖夫;戴维·卡斯特罗;罗埃尔·达门 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01N27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种集成电路，包括：衬底(10)，包括至少一个光传感器(12)；衬底上方的互连结构(20)；互连结构上的至少一个钝化层(30)，所述钝化层包括所述至少一个光传感器上方的第一区域；以及气体传感器如湿气传感器(50)，至少部分地位于所述至少一个钝化层的另一区域上，其中气体传感器包括处于第一电极(42)和第二电极(44)之间的气敏层(46’)，气敏层还包括位于第一区域上的一部分(46”)。还公开了一种制造这种IC的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：衬底(1O)，包括至少一个光传感器(12)；衬底上方的互连结构(20)；互连结构上的至少一个钝化层(30)，所述钝化层包括所述至少一个光传感器上方的第一区域；以及气体传感器(50)，至少部分地位于所述至少一个钝化层的另一区域上，其中所述气体传感器包括处于第一电极(42)和第二电极(44)之间的气敏层(46’)，所述气敏层还包括位于第一区域上的一部分(46”)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310034040.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
