[发明专利]集成电路及制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底(1O)，包括至少一个光传感器(12)；

衬底上方的互连结构(20)；

互连结构上的至少一个钝化层(30)，所述钝化层包括所述至少一个光传感器上方的第一区域；以及

气体传感器(50)，至少部分地位于所述至少一个钝化层的另一区域上，其中所述气体传感器包括处于第一电极(42)和第二电极(44)之间的气敏层(46’)，所述气敏层还包括位于第一区域上的一部分(46”)。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述气体是湿气。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述气体传感器是相对湿度传感器。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路，其中，所述气敏层(46)是聚合物层。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述聚合物层是从包括聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚胺、聚吡啶、聚碳酸酯、聚乙酸酯、聚苯乙烯、聚乙炔、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(苯基亚乙烯基)及其衍生物的组中选择的。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述聚合物是聚酰亚胺。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的集成电路，其中，所述气敏层(46)至少在所述部分(46”)中还包括染料。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的集成电路，其中，所述光传感器(12)是光敏二极管。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的集成电路，包括衬底中所述至少一个钝化层(30)未被所述部分(46”)覆盖的区域下方的另一光传感器(12)。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的集成电路，还包括温度传感器。

11.一种封装产品，包括根据权利要求1-10中任一项所述的集成电路。

12.一种电子设备，包括根据权利要求1-10中任一项所述的集成电路。

13.一种制造集成电路的方法，所述集成电路包括至少一个光传感器(12)和气体传感器(50)，所述方法包括：

提供衬底(10)，所述衬底包括至少一个光传感器(12)；

在衬底上形成互连结构(20)；

在互连结构上形成至少一个钝化层(30)，所述钝化层包括所述至少一个光传感器上方的第一区域；

通过下述操作形成至少部分地位于所述至少一个钝化层上的气体传感器(50)：

在所述至少一个钝化层的另一区域上形成一对电极(42，44)；

在包括该对电极的所述至少一个钝化层上沉积气敏层(46)；

以及

对气敏层进行构图，使得气敏层保留于所述第一区域和所述另一区域中。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括在气敏层(46)中加入染料的步骤。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，

所述气敏层(46)是从包括聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚胺、聚吡啶、聚碳酸酯、聚乙酸酯、聚苯乙烯、聚乙炔、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(苯基亚乙烯基)及其衍生物的组中选择的聚合物层；以及

通过旋涂沉积湿敏层。