[发明专利]一种CIGS薄膜电池的激光沉积制备工艺

摘要

本发明公开了一种CIGS薄膜电池的激光沉积制备工艺，依次在Mo玻璃衬底上沉积钠化合物薄膜、CIGS薄膜、缓冲层薄膜和窗口层薄膜得到CIGS器件；本发明针对CIGS薄膜电池多层膜的特点，采用简洁的多靶连续旋转激光沉积，在同一真空腔内，共享一套激光系统便可连续制备出钠化合物薄膜、CIGS薄膜、缓冲层薄膜及窗口层薄膜，因而具有众多优点，另外由于整个电池器件主体包括p-n节的制备过程均未破真空，因而空气及杂质污染极少，在蒸发上Ni-Al电极并对电池进行退火处理之后，可得到转换效率高于12%的CIGS光伏器件。

主权项

一种CIGS薄膜电池的激光沉积制备工艺，其特征在于：依次在Mo玻璃衬底上沉积钠化合物薄膜、CIGS薄膜、缓冲层薄膜和窗口层薄膜得到CIGS器件；所述钠化合物薄膜通过热蒸发沉积、溅射沉积、激光沉积或电子束沉积得到，所述钠化合物选自NaF、NaCl、NaBr、NaI、Na2O、Na2O2、Na2CO3、Na2SO4、NaHCO3、NaHSO4中的一种或几种，所述钠化合物薄膜的厚度为10‑50nm；所述CIGS薄膜通过激光沉积得到，沉积所述CIGS薄膜的靶材为含Se多元靶材，所述含Se多元靶材按配比量选自Cu2Se、CuSe、In2Se3、InSe、Ga2Se3、GaSe、(In,Ga)2Se3、CuInSe2、CuGaSe2、CuInGaSe2中的一种或几种，所述CIGS薄膜的厚度为1.5‑2.5μm；所述缓冲层薄膜通过激光沉积得到，沉积所述缓冲层薄膜的靶材选自Zn1‑xMgxO、CdZnS、ZeSe、ZnS、ZnIn2Se4、In2S3或In(OH)aSb，所述缓冲层薄膜的厚度为45‑55nm；所述窗口层薄膜是在氧气分压0‑100Pa下通过激光依次轰击i‑ZnO靶材以及AZO或ITO靶材得到。