[发明专利]一种CIGS薄膜电池的激光沉积制备工艺

权利要求书

1.一种CIGS薄膜电池的激光沉积制备工艺，其特征在于：

依次在Mo玻璃衬底上沉积钠化合物薄膜、CIGS薄膜、缓冲层薄膜和窗口层薄膜得到CIGS器件；

所述钠化合物薄膜通过热蒸发沉积、溅射沉积、激光沉积或电子束沉积得到，所述钠化合物选自NaF、NaCl、NaBr、NaI、Na₂O、Na₂O₂、Na₂CO₃、Na₂SO₄、NaHCO₃、NaHSO₄中的一种或几种，所述钠化合物薄膜的厚度为10-50nm；

所述CIGS薄膜通过激光沉积得到，沉积所述CIGS薄膜的靶材为含Se多元靶材，所述含Se多元靶材按配比量选自Cu₂Se、CuSe、In₂Se₃、InSe、Ga₂Se₃、GaSe、(In,Ga)₂Se₃、CuInSe₂、CuGaSe₂、CuInGaSe₂中的一种或几种，所述CIGS薄膜的厚度为1.5-2.5μm；

所述缓冲层薄膜通过激光沉积得到，沉积所述缓冲层薄膜的靶材选自Zn_1-xMg_xO、CdZnS、ZeSe、ZnS、ZnIn₂Se₄、In₂S₃或In(OH)_aS_b，所述缓冲层薄膜的厚度为45-55nm；

所述窗口层薄膜是在氧气分压0-100Pa下通过激光依次轰击i-ZnO靶材以及AZO或ITO靶材得到。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：

所述钠化合物薄膜通过激光沉积得到，沉积时的衬底温度为20-200℃。

3.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征在于：

沉积时的衬底温度为100℃。

4.根据权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于：

所述钠化合物为NaF，所述钠化合物薄膜的厚度为25nm。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：

CIGS薄膜激光沉积的衬底温度控制在200-300℃。

6.根据权利要求1或5所述的制备工艺，其特征在于：

CIGS薄膜激光沉积的靶材为CuInGaSe₂。

7.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：

缓冲层薄膜激光沉积的靶材为In₂S₃。

8.根据权利要求1或7所述的制备工艺，其特征在于：

缓冲层薄膜激光沉积的衬底温度控制在80-120℃。

9.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：

所述CIGS薄膜、缓冲层薄膜和窗口层薄膜的沉积过程为连续沉积。

10.根据权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于：

所述钠化合物薄膜、CIGS薄膜、缓冲层薄膜和窗口层薄膜的沉积过程为连续沉积。