[发明专利]一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构有效
申请号: | 201310026755.4 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103123885A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 王旺平;马建一 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01J1/34 | 分类号: | H01J1/34 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构,在GaAs100衬底材料层往上依次为AlGaAs腐蚀阻挡层,GaAs锌重掺杂层,GaAs锌低掺杂层,GaAs碳梯度掺杂层,GaAs间隔层,AlGaAs窗口层。优点:该结构采用碳掺杂和变掺杂技术增强透射式GaAs或InGaAs光电阴极的短波响应,提升光电阴极工艺过程的热稳定性。变掺杂综合采用了锌和碳掺杂,在铯化面采用重锌掺杂,减小了铯化耗尽区,提高了光生载流子逸出概率;在窗口层界面处采用低碳掺杂,降低界面少子复合速率;在窗口层界面与重锌掺杂层之间采用碳变掺杂,形成具有良好热稳定性的内建电场,可以优化出高性能的光电阴极。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 热稳定性 透射 光电 阴极 材料 掺杂 结构 | ||
【主权项】:
一种增强热稳定性的透射式光电阴极材料的变掺杂结构,其特征在GaAs衬底材料层往上依次为AlGaAs腐蚀阻挡层(12),GaAs锌重掺杂层(13),GaAs锌低掺杂层(14),GaAs 碳梯度掺杂层(15),GaAs间隔层(16),AlGaAs窗口层(17)。
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