[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310022737.9 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103296075B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 森下泰之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中的静电保护电路包括在平行于半导体衬底的第一方向上延伸的第一第一导电类型阱、在一端耦合到第一第一导电类型阱的长边的情况下在平行于半导体衬底并且垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二第一导电类型阱、和在第一第一导电类型阱和第二第一导电类型阱周围形成的第二导电类型阱。它也包括在第二第一导电类型阱的表面上在第二方向上延伸的第一高浓度第二导电类型区，和在第二导电类型阱的表面上在面对第一高浓度第二导电类型区的同时在第二方向上延伸的第一高浓度第一导电类型区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括静电保护电路，所述静电保护电路包括：第一第一导电类型阱，所述第一第一导电类型阱在平行于半导体衬底的第一方向上延伸；第二第一导电类型阱，所述第二第一导电类型阱在一端耦合到所述第一第一导电类型阱的长边的情况下，在平行于所述半导体衬底并且垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；第二导电类型阱，所述第二导电类型阱形成在所述第一第一导电类型阱和所述第二第一导电类型阱周围；第一高浓度第二导电类型区，所述第一高浓度第二导电类型区在所述第二第一导电类型阱的表面上在所述第二方向上延伸；以及第一高浓度第一导电类型区，所述第一高浓度第一导电类型区在面对所述第一高浓度第二导电类型区的同时，在所述第二导电类型阱的表面上在所述第二方向上延伸，其中所述静电保护电路具有多个所述第二第一导电类型阱、多个所述第一高浓度第二导电类型区、和多个所述第一高浓度第一导电类型区。
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