[发明专利]霍山石斛无公害仿野生种植方法

摘要

本发明公开了一种霍山石斛无公害仿野生种植方法，包括育种苗盘的选择、栽培基质配制、合理定植、无公害仿野生管理等步骤。本发明种植霍山石斛的存活率高达99%以上，最终收获霍山石斛株高6-12cm/株,平均重量2-4g/株，在提高霍山石斛人工种植存活率的同时也提高了霍山石斛的产量和质量。本发明提供的方法能有效提高霍山石斛人工种植存活率，明显缩短了霍山石斛生长周期，提高霍山石斛单位产量，达到甚至超过野生霍山石斛的品质，解除霍山石斛日益枯竭的趋势以及濒危的状态，为今后更进一步保护和利用该物种奠定良好的基础。

主权项

一种霍山石斛无公害仿野生种植方法，其特征在于包括如下步骤：（1）育种苗盘的选择：采用的苗盘为侧边和底部都镂空的育苗平盘，平盘实际深度不低于8cm； （2）栽培基质配制：其包括以下按体积份配比的组份：泥炭土5‑10 份、珍珠岩6‑8份、松树皮50‑60份、水苔4‑6份、家禽粪便3‑5份、甘蔗渣2‑3份、菜籽饼粕1‑2 份混均后经覆膜高温堆肥发酵30‑40天后，用孔径为1‑2cm的网筛筛分基质, 网筛中粗大的树皮和粒级为2‑4cm的石子按1:1比例混合后铺在盘底，高度为4‑5cm, 穿过网筛的基质用做覆盖霍山石斛根部的基质,覆盖厚度为2‑3cm；（3）合理定植：将选取的霍山石斛苗植于苗盘中，每株霍山石斛定植深度需保持在1‑3cm，每盘苗盘种植数量控制在每平米10×10丛，每丛3‑5株，种植后应及时喷洒足量的定根水，使根部和基质贴实；（4）无公害仿野生管理：选择空气质量良好的林间空地，模拟原生态环境种植霍山石斛，可搭建大棚，通过覆盖薄膜、遮荫网，安装喷雾设备、送风设备，来调控环境湿度、温度和光照强度；春、秋季节保持环境温度5‑20℃，湿度在50‑70%，光照强度在8000‑13000lux，夏季保持环境温度20‑30℃，湿度在70‑95%，光照强度在7000‑10000lux，冬季保持环境温度不要低于0℃，湿度在30‑50%，光照强度在10000‑15000lux，春、夏、秋季的昼夜温差要调控到7‑12℃之间。