[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号： | 201310017112.3 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103207483A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 平塚崇人;伊东理 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器东 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种壁电极方式的液晶显示装置。在该壁电极方式的液晶显示装置中，易封入液晶且提高透射率。该液晶显装置矩阵状地配置有多个像素，各像素具备在像素的两端沿像素的长边方向延伸的大壁（14）和在所述大壁之间即与所述大壁平行地延伸的高度比所述大壁低的小壁（15），在所述小壁上形成有TFT侧电极（16），在所述大壁的侧面及所述大壁与所述小壁之间形成有壁电极（21），所述大壁（14）在长边方向的像素间被分断，在被分断的所述大壁之间配置高度比所述大壁低的小壁（18）。另外，具备像素的长边方向的漏极线及短边方向的栅极线，在所述漏极线及栅极线的上层经由所述小壁（18）形成有共用电极（19）。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种液晶显示装置，矩阵状地配置有多个像素，各像素具备在像素的两端沿像素的长边方向延伸的大壁和在所述大壁之间即与所述大壁平行地延伸、高度比所述大壁低的小壁，在所述小壁上形成TFT侧电极，在所述大壁的侧面及所述大壁与所述小壁之间形成壁电极，其特征在于，所述大壁在长边方向的像素间被分断，在被分断的所述大壁之间配置高度比所述大壁低的小壁。
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