[发明专利]提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法无效
| 申请号： | 201310015290.2 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103094178A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 罗杰馨;陈静;伍青青;柴展;余涛;吕凯;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了再掺杂的绝缘体上材料结构上再制备电极层以形成SOI器件。由于所制作的结构在源区存在重掺杂的P+区，源区N+区与P+区形成二级管结构，有效释放器件体区的空穴，使得体区电势与源区相等，因此器件的阈值电压不再漂移，从而提高器件的射频性能；此外，相对于业界普遍采用的TB结构，本发明的器件也不需要额外增加器件面积。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 部分 耗尽 soi 器件 射频 性能 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法，其特征在于，所述提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法至少包括：1）在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；2）对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；3）在进行了再掺杂的绝缘体上材料结构上再制备电极层以形成SOI器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
