[发明专利]一维氟化物核壳结构发光材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310012972.8 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN103102883A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 刘桂霞;孙萍;王进贤;董相廷;于淑晶;于文生 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: C09K11/85 分类号: C09K11/85;C09K11/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种一维稀土氟化物核壳结构发光材料及制备方法。该氟化物一维核壳结构发光材料表达式为:Ag@SiO2@RF3:Ln3+(R=Y,Gd,Ln=Eu,Tb,Er/Yb),直径为80-120nm,壳层厚度可控在15-60nm。本发明首先采用乙二醇法制备出的Ag纳米线为核,以正硅酸乙酯为硅源将Ag纳米线包覆上SiO2层,再加入稀土氟化物进行最外层的包覆。本发明制备方法简单易行,原料易得,成本低且无毒。
搜索关键词: 氟化物 结构 发光 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一维氟化物核壳结构发光材料,其特征是一维结构,表达式为:Ag@SiO2@RF3:Ln3+,其中R=Y,Gd;Ln=Eu,Tb,Er,Yb,一维核壳结构发光材料的直径为80‑120nm,壳层厚度可控在15‑60nm。
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