[发明专利]CMOS传感器阵列有效
| 申请号： | 201310006305.9 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103297721B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 周国煜;赵亦平;涂宏益;周伯圣;陈怡哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种CMOS传感器包括像素，被配置成基于由像素接收的入射光输出电压。第一电路连接至像素并且被配置成确定像素的复位电压。第二电路连接至第一电路并且被配置成基于像素的复位电压选择增益值。增益电路连接至第二电路并且被配置成设置由第二电路选择的增益的电压电平。本发明还提供了一种CMOS传感器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
一种CMOS传感器，包括：像素，被配置成基于由所述像素接收的入射光输出电压；第一电路，连接至所述像素并且被配置成确定所述像素的复位电压；第二电路，连接至所述第一电路并且被配置成基于所述像素的所述复位电压选择增益值；以及增益电路，连接至所述第二电路并且被配置成设置由所述第二电路选择的增益的电压电平，其中，所述第二电路被配置成比较复位电压电平与至少一个阈值电压，以识别运行所述像素的源极跟随晶体管的工艺角。
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