[发明专利]片式层压电子元件、用于安装该元件的板件及其封装单元

摘要

一种片式层压电子元件，包括陶瓷本体，包括内电极和电介质层；外电极，覆盖所述陶瓷本体沿长度方向的两个端部；活性层，以相对的方式设置有所述内电极，并且该活性层具有插入所述内电极之间的所述电介质层，以形成电容；以及上覆盖层和下覆盖层，该上覆盖层和下覆盖层形成在所述活性层沿厚度方向的上部和下部，所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述活性层的总厚度的一半定义为C、以及所述上覆盖层的厚度定义为D时，满足D≥4μm和1.063≤（B+C）/A≤1.745，并且上覆盖层或下覆盖层包括识别部，该识别部因其亮度或颜色的差异而区分所述陶瓷本体的上部和下部。

主权项

一种片式层压电子元件，所述片式层压电子元件包括：外电极，所述外电极形成在具有六面体形状的陶瓷本体的沿长度方向的两个端部；活性层，所述活性层形成在所述陶瓷本体内，并且包括彼此相对地设置的多个内电极，所述活性层具有插入所述多个内电极之间的电介质层，以形成电容；上覆盖层，所述上覆盖层形成在所述活性层的最上部的内电极的上部；以及下覆盖层，所述下覆盖层形成在所述活性层的最下部的内电极的下部，并且所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度；其中，当施加电压时，由于所述活性层的中心部中所产生的应变与所述下覆盖层中所产生的应变的不同，在所述陶瓷本体的沿长度方向的端部形成变形拐点PI，其中，所述变形拐点PI在厚度方向上低于所述陶瓷本体的中心部，其中，所述变形拐点PI为所述陶瓷本体的沿长度方向的端表面的在厚度方向上的膨胀区域与收缩区域之间的交叉点，当所述陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述活性层的总厚度的一半定义为C时，所述活性层的中心部偏离所述陶瓷本体的中心部的比值(B+C)/A满足1.063≤(B+C)/A≤1.745的范围，以及所述上覆盖层和下覆盖层中的任意一者包括识别部，所述识别部因其亮度或者颜色的差异而区分所述陶瓷本体的上部和下部。