[发明专利]场致发射电子源及其碳纳米管石墨烯复合结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310002796.X | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103050346A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈泽祥;王智慧;唐宁江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场致发射电子源及其碳纳米管石墨烯复合结构的制备方法，包括导电基底、石墨烯薄膜层和定向垂直于石墨烯薄膜层的碳纳米管阵列，所述石墨烯薄膜层粘附在导电基底上，所述碳纳米管阵列中的碳纳米管的一端与石墨烯薄膜层连接形成一个整体结构。本发明大大提高碳纳米管阵列场发射电子源的发射能力和稳定性，使得本发明的电子源获得高效稳定的发射电流以及可以承受极高的发射电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 及其 纳米 石墨 复合 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场致发射电子源，其特征在于，包括导电基底、石墨烯薄膜层和定向垂直于石墨烯薄膜层的碳纳米管阵列，所述石墨烯薄膜层粘附在导电基底上，所述碳纳米管阵列中的碳纳米管的一端与石墨烯薄膜层连接形成一个整体结构。
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