[发明专利]莲房原花青素预防极低频电磁场致脑氧化应激损伤的用途无效
| 申请号： | 201310000900.1 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103156839A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张海晖;段玉清;王志高;武妍;张瑞;马海乐 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | A61K31/353 | 分类号： | A61K31/353;A61P25/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了莲房原花青素预防极低频电磁场致脑氧化应激损伤的用途，涉及医药技术领域。本发明采用ICR小鼠进行动物实验，通过Morris水迷宫测定莲房原花青素对ELF-EMF致小鼠学习记忆、脑抗氧化酶系统、脂质过氧化产物、一氧化氮和一氧化氮合酶的含量或活性；通过研究ELF-EMF致体外培养的海马神经元细胞损伤模型，测定莲房原花青素对细胞生存率、形态和抗氧化酶、活性氧自由基含量以及一氧化氮和一氧化氮合酶含量的影响。结果证实，莲房原花青素对体内外ELF-EMF致脑氧化应激损伤导致学习记忆下降有显著的预防作用。 | ||
| 搜索关键词： | 莲房 花青素 预防 低频 电磁场 氧化 应激 损伤 用途 | ||
【主权项】：
莲房原花青素的用途，用于制备预防极低频电磁场致脑氧化应激损伤学习记忆中的药物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大学，未经江苏大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310000900.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：雷公藤甲素在抑制RA滑膜血管新生药物中的应用
- 下一篇：儿童座椅
