[发明专利]制造微电路的方法在审
| 申请号： | 201280077357.9 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104854679A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李守宰;柳达铉;赵振亨;朴偶哲;马在辰 | 申请（专利权）人： | 株式会社SMC;三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 韩国仁川市延寿区东春*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭露一种制造微电路的方法。该方法包括：第一蚀刻操作，将蚀刻剂喷涂在整个基板上，以于其上形成微电路，并且凭借真空抽吸去除在基板上积存的蚀刻剂；第二蚀刻操作，混合并将包含蚀刻剂与气体的双流体喷涂在基板上；第三蚀刻操作，将蚀刻剂仅喷涂在基板的外围，以部分地蚀刻基板；以及第四蚀刻操作，基于关于基板的传输信息将蚀刻剂间歇地喷涂在正在被传输的基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种制造微电路的方法，其特征在于，包括：第一蚀刻操作，将蚀刻剂喷涂在整个基板上，以于其上形成微电路，并且凭借真空抽吸去除在该基板上积存的蚀刻剂；第二蚀刻操作，混合并将包含蚀刻剂与气体的双流体喷涂在该基板上；第三蚀刻操作，将蚀刻剂仅喷涂在该基板的外围，以部分地蚀刻该基板；以及第四蚀刻操作，基于关于该基板的传输信息将蚀刻剂间歇地喷涂在正在被传输的该基板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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