[发明专利]用于薄膜沉积反应器和薄膜层的原位干式清洁的过程和方法

摘要

本发明涉及使用亚硫酰氯和相关材料来干式腐蚀金属有机气相外延(MOVPE)反应器的内表面以除去沉积物。所述方法还可用于干式腐蚀这类反应器内的过程基板以便清洁和处理那些基板。本发明可能特别适合于在制造基于III‑V半导体(诸如GaN和相关材料)的高亮度LED中使用的化学气相沉积反应器。所述过程的特征包括加热、UV和等离子体活化干式清洁，并使用由纯净材料形成或由组分气体诸如CO、SO、SO2或NO与卤素的组合所形成的腐蚀剂气体诸如COCl2、COBr2、COI2、SOI2、SOCl2、SOBr2、SO2Cl2、SO2Br2、NOCl、NOBr、NOI、S2Cl2、S2Br2、SCl2、SBr2、SOClBr、SOClF和SOFBr，以实现预期效果。

主权项

一种从化学反应室的内表面或从所述化学反应室内的基板清洁反应产物沉淀的方法，所述方法包括以下步骤：将所述反应室加热到高温；将腐蚀剂气体引入所述反应室中，所述腐蚀剂气体具有通式AO_mX_n，其中：A选自由C、N和S组成的组；O是氧；X是卤素；并且下标m和n大于零；在所述引入之前或之后使所述腐蚀剂气体活化；允许在所述腐蚀剂气体与所述反应产物沉积物之间进行腐蚀反应以除去所述反应产物沉积物而在所述反应室内无明显的腐蚀反应产物再沉积；并且与所述腐蚀反应的基本上所有产物一起排出所述腐蚀剂气体。