[发明专利]太阳能电池的高电流预烧在审
申请号: | 201280073812.8 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN105051913A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 迈克尔·J·德芬瑟;涂修文;邬俊波;大卫·史密斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司;迈克尔·J·德芬瑟;涂修文;邬俊波;大卫·史密斯 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;顾丽波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明介绍了对太阳能电池进行高反向电流预烧的方法和具有预烧出的旁路二极管的太阳能电池。在一个实施例中,对具有隧道氧化层的太阳能电池的高反向电流预烧引起太阳能电池中的低击穿电压。在高电流下热炼太阳能电池还可以降低电池缺陷区域和非缺陷区域的电压差异。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 电流 | ||
【主权项】:
一种提高太阳能电池效率的方法,所述方法包括:向所述太阳能电池施加反向电流,该反向电流高于所述太阳能电池被反向偏置时所述太阳能电池的工作电流,其中所施加的反向电流将通过所述太阳能电池的隧道氧化层的一个区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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