[发明专利]硅精炼设备和用于精炼硅的方法有效

专利信息
申请号: 201280069013.3 申请日: 2012-02-03
公开(公告)号: CN104220370B 公开(公告)日: 2016-10-19
发明(设计)人: 堂野前等 申请(专利权)人: 菲罗索拉硅太阳能公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王旭
地址: 西班牙*** 国省代码: 西班牙;ES
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摘要: 发明提供了一种用于通过真空熔融来精炼硅的方法,其中防止了杂质凝聚物从位于坩埚上方的杂质捕获装置落下和熔融硅的污染。用于容纳熔融硅(3)的坩埚(4)和用于加热坩埚(4)的加热工具(5)位于配备有真空泵(1)的处理室(2)的内部;还设置有:杂质捕获装置,其具有用于冷却和凝聚从熔融硅的液面蒸发的杂质蒸气的杂质凝聚部;和用于防止熔融硅的污染的污染防止装置,其具有用于当被杂质捕获装置捕获的杂质落下时接收和容纳杂质的杂质接纳部。
搜索关键词: 精炼 设备 用于 方法
【主权项】:
一种硅纯化装置,所述硅纯化装置用于从通过在减压下硅的加热和熔融生成的硅熔体中分离并移除蒸发的杂质,所述硅纯化装置设置有:处于通过减压工具降低至低于特定压力的减压下的处理室、和设置在所述处理室中的容纳所提供的硅的坩埚、以及加热所述坩埚中的硅的加热工具,其特征在于,所述硅纯化装置设置有:杂质捕获装置,其具有将从所述硅熔体的液面蒸发的杂质蒸气冷却并凝聚的杂质凝聚部;和防止所述硅熔体的污染的污染防止装置,其配备有在使被所述杂质捕获装置捕获的杂质落下时接收并容纳所述杂质的杂质接纳部,并且在硅纯化处理时,所述污染防止装置的所述杂质接纳部位于待机位置,并通过所述杂质捕获装置的所述杂质凝聚部将所述杂质蒸气凝聚,且此外,当所述硅纯化处理暂停或终止时,所述污染防止装置的所述杂质接纳部位于在所述杂质捕获装置的所述杂质凝聚部与所述硅熔体的液面之间的运行位置,接收并容纳所述落下的杂质。
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